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元件参数资料
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参数目录39661
> ATP113-TL-H MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
型号:
ATP113-TL-H
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
ATP113-TL-H PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
29.5 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
-
闸电荷(Qg) @ Vgs
55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 20V
功率 - 最大
50W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装
ATPAK
包装
剪切带 (CT)
其它名称
869-1077-1
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